一、設(shè)備參數(shù)：

1.輸入電壓：AC 220V

2.設(shè)備功率：3kVA

3.高壓輸出：50kV(交流、直流）

4.電壓精度：<1.5%

5.升壓速度：200V/S~2000V/S(可設(shè)定)

6.電流輸出：60mA

7.電流精度：<1.5%

8.試驗方式：擊穿試驗、耐壓試驗、階梯試驗

9、耐壓時間：（可設(shè)定）

10.設(shè)備尺寸：650mm*500mm*1400mm

11.設(shè)備重量：40KG

二、設(shè)備優(yōu)勢：

TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)：

電壓擊穿試驗儀大都采用的光耦隔離方式，但光耦與隔離無非是提高儀器的采集的抗干擾處理，對于電弧放電過程中的浪涌對控制系統(tǒng)的防護(hù)起不到任何作用。華測的TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)，。

多級循環(huán)電壓采集技術(shù)：

材料擊穿后，瞬間放電速度約為光速的1/5?1/3,通用的方法為壓降法進(jìn)行采集擊穿電壓。即變壓器的初級電壓瞬間下降一定比率來判別材料是否擊穿。顯然記錄擊穿電壓值產(chǎn)生偏差。而采用多級循環(huán)采集技術(shù)對擊穿后的電壓采集將解決此難題。

低通濾波電流監(jiān)測技術(shù)：

高壓壓放電過程中將產(chǎn)生高頻信號。而無論是國產(chǎn)與電流采集傳感器，大都為工頻電流傳感器。而采集過程中無法將高頻信號處理時，從而造成檢測不準(zhǔn)確。無論是采用磁通門或霍爾原理所設(shè)計的傳感器存在擊穿后瞬間輸出電壓或電流信號過大，從而燒壞控制系統(tǒng)的采集部分。華測開發(fā)的低濾波電流采集傳感器將高頻雜波信號進(jìn)行相應(yīng)處理。同時華測開發(fā)的保護(hù)模塊來保證采集精度與保護(hù)采集元件。

雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)及隔離屏蔽技術(shù)：

采用雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)應(yīng)用于電擊穿儀器，華測生產(chǎn)的電壓擊穿儀器不僅具備過壓、過流保護(hù)系統(tǒng)，它*的雙系統(tǒng)互鎖機制，當(dāng)任何元器件出現(xiàn)問題或單系統(tǒng)出現(xiàn)故障時，將瞬間切斷高壓。技術(shù)，。

SPWM電子升壓技術(shù)：

目前設(shè)備大都采用SPWM電子升壓技術(shù)，這一技術(shù)具有升壓速度平穩(wěn)，精度高。便于維護(hù)等優(yōu)點是調(diào)壓器*的。